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J-GLOBAL ID：201602217989552569   整理番号：16A0178889

GaAs/InGaAs系1.3μm帯メタモルフィックレーザの高速変調動作

High-speed operation of GaAs/InGaAs metamorphic lasers emitting at 1.3μm

著者 (10件)： 中尾亮 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  中尾亮 (NTT先端集積デバイス研) ,  荒井昌和 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  荒井昌和 (NTT先端集積デバイス研) ,  小林亘 (NTT先端集積デバイス研) ,  硴塚孝明 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  硴塚孝明 (NTT先端集積デバイス研) ,  山本剛 (NTT先端集積デバイス研) ,  松尾慎治 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  松尾慎治 (NTT先端集積デバイス研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 378(LQE2015 123-133)  ページ： 15-20  発行年： 2015年12月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： メタモルフィック成長は,デバイス層を基板材料の格子定数に縛られることなく作製可能とする技術であり,従来のデバイス特性を大幅に超えた光・電子デバイス実現が期待される。本報告では,光通信分野で期待される高温度特性を持つ1.3μm帯の直接変調レーザ実現のため,GaAs基板上のメタモルフィックInGaAs MQWレーザについて検討を行った。InGaAsメタモルフィック成長において,高精度な格子緩和率のその場測定を導入することにより結晶性の良い薄膜のメタモルフィックバッファを作製することに成功した。このメタモルフィックバッファの薄膜化は,メタモルフィック成長において課題であった基板反りを大きく低減させるものであり,微細加工プロセスが可能となった。このメタモルフィックバッファ上に微細加工プロセスを用いて作製したメタモルフィックレーザにおいて,187Kの特性温度と25Gbit/sの直接変調動作を達成した。(著者抄録)

シソーラス用語： 計測 ,  光変調 ,  特性 ,  *量子井戸レーザ ,  バッファ層 ,  基板 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *格子定数
準シソーラス用語： GaAs基板 ,  *MQWレーザ ,  その場測定 ,  メタモルフィックレーザ ,  温度特性 ,  直接変調

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  InGaAs ,  変調