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J-GLOBAL ID：201602217990225318   整理番号：16A0156074

第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュール

著者 (3件)： 川畑潤也 (富士電機) ,  百瀬文彦 (富士電機 電子デバイス研 次世代モジュール開発セ) ,  小野澤勇一 (富士電機)
資料名： 富士電機技報  (Fuji Electric Journal)
巻： 88  号： 4  ページ： 305-307  発行年： 2015年12月30日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 2187-1817  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 富士電機(株)で,電力変換装置の一層の小型化・高効率化・高信頼性化の実現に向けて,新しいチップ技術とパッケージ技術を適用して開発した第7世代Xシリーズ・IGBTモジュールを紹介した。XシリーズIGBTモジュールでは,IGBTとフリー・ホイーリング・ダイオードの低損失化と,パッケージの高放熱化と高信頼性化とにより,IGBTモジュールのさらなる小型化・低損失化を達成したと述べた。第7世代XシリーズIGBTは,第6世代VシリーズIGBTに比べて,連続動作時の最高温度が25°C高い175°Cになり,通常運転時の電力損失が約10%低下すると述べた。また,関連する高放熱AlN絶縁基板の開発も紹介した。

シソーラス用語： *電力変換器 ,  *IGBT ,  製品開発 ,  小型化 ,  信頼性 ,  効率化 ,  熱放射 ,  窒化アルミニウム ,  基板 ,  電気損失
準シソーラス用語： 高効率化 ,  高信頼性 ,  低損失 ,  電力損失

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 世代 ,  IGBT ,  モジュール