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J-GLOBAL ID：201602218045359576   整理番号：16A0209008

フラクタルパターンに基づいたHfO₂における可逆的ブレークダウンのモデル

Model of Reversible Breakdown in HfO₂ Based on Fractal Patterns

著者 (4件)： LORENZI P. (Sapienza Univ. Rome, Rome, ITA) ,  RAO R. (Sapienza Univ. Rome, Rome, ITA) ,  ROMANO G. (Sapienza Univ. Rome, Rome, ITA) ,  IRRERA F. (Sapienza Univ. Rome, Rome, ITA)
資料名： Advances in Condensed Matter Physics (Web)  (Advances in Condensed Matter Physics (Web))
巻： 2015  ページ： 136938 (WEB ONLY)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U7023A  ISSN： 1687-8108  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥のフラクタルパターン成長に基づいた酸化ハフニウムによる金属-絶縁体-金属構造の絶縁体に外部電圧が印加された時の,可逆的ブレークダウンのカイネティクスのモデルを提案した。欠陥が発生する(しない)確率と発生する位置は電場分布に依存する。新しい欠陥はフラクタル則に従って運動し,ツリー枝において他の欠陥に付着する。絶縁体薄膜をサンドイッチする2つの電極が接続される時,導電性フィラメントが形成され,ブレークダウンが生ずる。モデルをPt/HfO₂/Ptキャパシタにおける準安定ソフトブレークダウン事象を誘起する実験によって較正した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁破壊 ,  *酸化ハフニウム ,  *フラクタル ,  *フラクタル次元 ,  *MIM構造 ,  *欠陥 ,  可逆変化 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *フィラメント ,  スイッチング ,  RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： 半導体素子ブレークダウン ,  *フラクタル幾何構造 ,  金属-絶縁体-金属構造 ,  高k誘電体 ,  *導電性フィラメント ,  抵抗スイッチング ,  RRAM

分類 (3件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： HfO2 ,  ブレークダウン ,  モデル