文献

J-GLOBAL ID：201602218141026502   整理番号：15A1302194

無電極光支援化学エッチングによるGaNマイクロ/ナノ構造の調製と特性化【Powered by NICT】

Preparation and characterization of GaN micro/nanostructures by the electrodeless photo-assisted chemical etching

著者 (13件)： Zhang Shiying (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Xiu Xiangqian (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Xu Qingjun (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Wang Hengyuan (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Hua Xuemei (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Xie Zili (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Liu Bin (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Chen Peng (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Han Ping (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Lu Hai (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Gu Shulin (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Zhang Rong (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...) ,  Zheng Youliao (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science& Engineering ...)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 45  号： 8  ページ： 087301-01-087301-14  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 異なる形態のGaNマイクロ/ナノ構造はKOH溶液中で無電極光支援化学エッチングによる作製,酸化剤としてK_2S_2O_8とすることに成功した。正常GaNとエッチングされたGaNの構造,結晶品質,応力状態および光学的性質を走査電子顕微鏡(SEM)画像,陰極線ルミネセンスマッピング(CLマッピング),高分解能X線回折(HRXRD)検出,顕微Ramanスペクトルと光ルミネセンス(PL)の組合せ結果により提供した。結果はピット,マイクロ/ナノピラーと高い結晶品質のナノワイヤは高いKOH濃度(1 mol/L)と低光強度で形成されることを示した;GaNピラミッドアレイは,高いUV光強度を0.4mol/L KOH溶液中で作製した,CLマッピングは,これらのピラミッドは,転位を囲む結晶GaNから成ることが示唆されるホイスカもエッチング後高いUV光強度を持つ0.1mol/L KOHで得ることができた。ホイスカは,刃状および混合特性のライン型欠陥と直接相関であると信じられている。形成機構とGaN種々の形態の特徴を合理的に説明した。エッチング温度とGaN表面の極性はGaNの表面形態に及ぼす明らかな影響を有していた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エッチング ,  *ナノ構造 ,  *光 ,  *キャラクタリゼーション ,  結晶 ,  紫外線 ,  写像 ,  酸化剤 ,  ホイスカ ,  角錐
準シソーラス用語： 表面形態 ,  形成機構 ,  光強度 ,  結晶品質 ,  *化学エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 物理学一般  (BA01010T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 無電極 ,  支援 ,  化学エッチング ,  GaN ,  ナノ構造 ,  調製 ,  特性化