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J-GLOBAL ID:201602218481206092   整理番号:15A1253134

結晶構造と半導体Mg_2Si膜のシート抵抗に及ぼすMg膜の厚さの影響【Powered by NICT】

Effects of Thickness of Mg Film on the Crystal Structure and Sheet Resistance of Semiconductor Mg_2Si Films
著者 (7件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 525-530  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2378A  ISSN: 1003-353X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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半導体Mg_2Si薄膜を,高周波マグネトロンスパッタリングシステムと熱処理システムにより調製した。種々の厚さのMg膜をマグネトロンスパッタリングによりSi基板上に堆積し,次いで種々の厚さのMg_2Si半導体膜を真空焼なまし炉中で4時間低真空熱処理により調製した。得られたMg_2Si膜の結晶構造,表面形態および断面を表面粗さ計,X線回折(XRD)と走査電子顕微鏡(SEM)で調べた。半導体Mg_2Si膜の形成に及ぼすMg膜の厚さの影響を調べた。結果はMg_2Si(220)の配向の単相Mg_2Si膜をSi基板上に合成することに成功したことを示した。Mg_2Si(220)膜の回折ピーク強度は最初に増加し,次にMg膜の厚さの増加と共に減少した。Mg_2Si膜はMg膜の厚さは2 52μmであるときに,良好な結晶性と平坦性を示した。Mg_2Si膜のシート抵抗に及ぼすMg膜厚の影響を調べた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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