SOTB MOSFETを用いた汎用マイクロコントローラV850の動的ボディバイアス制御の検討

奥原颯; 北森邦明; 宇佐美公良; 天野英晴

文献

J-GLOBAL ID：201602218550686301 整理番号：16A0252871

SOTB MOSFETを用いた汎用マイクロコントローラV850の動的ボディバイアス制御の検討

A Research of Dynamic Body Bias Control on Micro Controller V850 Using SOTB MOSFET

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資料名：
巻： 57 号： 2 ページ： 708-717 (WEB ONLY) 発行年： 2016年02月15日
JST資料番号： U0452A ISSN： 1882-7764 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

低電力動作に適したFD-SOIデバイス,Silicon on Thin BOX(SOTB)MOSFETは,ボディバイアスを制御することにより,リーク電流と遅延のトレードオフをとることができる。SOTB MOSFETを用いたマイクロコントローラは,待機時にバイアス制御によりスリープ状態にし,動作時にこの状態から復帰させることでリーク電流を削減することができる。本論文ではこの手法を実現するための基本事項を明らかにする。まず,実際のマイクロコントローラV850Estarの測定により,スリープ時にリバースバイアスを与えることで,動作時のリーク電力より89.7%を削減できることを明らかにする。次に,スリープ制御時に発生する電力オーバヘッドを上回る電力削減効果を保証する待機時間:Break Even Timeはメモリマクロにおいて2.177ms,コアマクロにおいて19.30msであることが分かった。また,ボディバイアス電圧を変化させてからコントローラが応答するまでの遅延時間が最大で229.3μsであることが分かった。さらに,スリープ状態からの復帰を検出するリークモニタ回路を提案し,対象とする復帰時のボディバイアス電圧を設定する式を示し,SPICEシミュレーションとの誤差がほぼないことを明らかにした。(著者抄録)

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電気式制御機器

引用文献 (19件)：

Low-Power Electronics Association & Project.: The 4th Report Ultra Low Voltage Device Project for LowCarbon Society, available from 〈http://www.leap.or.jp/seikahoukokukai4.pdf.〉
Dreslinski, R.G. et al.: Reclaiming Moore’s Law Through Energy Efficient Integrated Circuits, Proc. IEEE, pp.254-266 (2010).
Fick, D. et al.: Centip3De: A3930DMIPS/W Configurable Near-Threshold 3D Stacked System with 64 ARM Cortex-M3 Cores, Proc. International Solid-State Circuits Conference, pp.190-192 (2012).
Ishigaki, T. et al.: Ultralow-power LSI Technology with Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) CMOSFET, Solid State Circuits Technologies, Swart, J.W. (Ed.), ISBN: 978-953-307-045-2, InTech, pp.146-156 (2010).
Ishibashi, K. et al.: A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pj/cycle, 0.14µA sleep current using Reverse Body Bias Assisted 65nm SOTB CMOS technology, Proc. COOL Chips XVII, pp.1-3 (2014).

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