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J-GLOBAL ID：201602218646032833   整理番号：16A0100596

フィラメント状構造に基づく酸化物抵抗スイッチングメモリにおける三次元導電チャネルのイメージング

Imaging the Three-Dimensional Conductive Channel in Filamentary-Based Oxide Resistive Switching Memory

著者 (10件)： CELANO Umberto (IMEC, Leuven, BEL) ,  CELANO Umberto (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  GOUX Ludovic (IMEC, Leuven, BEL) ,  DEGRAEVE Robin (IMEC, Leuven, BEL) ,  FANTINI Andrea (IMEC, Leuven, BEL) ,  RICHARD Olivier (IMEC, Leuven, BEL) ,  BENDER Hugo (IMEC, Leuven, BEL) ,  JURCZAK Malgorzata (IMEC, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST Wilfried (IMEC, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST Wilfried (KU Leuven, Leuven, BEL)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 12  ページ： 7970-7975  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hf(10nm)/HfO₂(アモルファス,5nm)二層膜を電極(RuとTiN)膜によりサンドイッチした試料をバイポーラRRAMのモデルとし,抵抗スイッチングに関わる酸化物に基づく導電フィラメント(CF)の三次元観測を初めて行った。最近開発したトモグラフィ技術,即ち高い面内分解能を持つ導電性原子間力顕微鏡(cAFM)に厳密に制御した材料除去手順によるサブナノメータの垂直分解能を結んで使用し,CFのナノスケールの体積を3D的に位置決めして評価した。CFは10nm以下のサイズであり,酸素不活性な電極の近傍にくびれ形状を示した。プログラムした電流の関数として観測された種々の原子サイズ接点を,欠陥による量子接点の変調としてCFの性質を示した。これらの結果は10Gビット/cm²をはるかに越える10nm以下の技術へのスケーリングに途を拓くであろう。

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,  *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  *フィラメント ,  *三次元 ,  *トモグラフィー ,  原子間力顕微鏡 ,  除去 ,  分解能 ,  酸化物 ,  金属酸化物 ,  *酸化ハフニウム ,  *ハフニウム ,  ルテニウム ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  多層膜
準シソーラス用語： RRAM ,  材料除去 ,  垂直分解能 ,  *導電フィラメント ,  導電性原子間力顕微鏡

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  チャネル ,  イメージング