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J-GLOBAL ID：201602218716941916   整理番号：16A0070599

Czochralskiシリコン結晶成長中の二重空隙の成長動力学のためのフェーズフィールドシミュレーション【Powered by NICT】

Phase-field Simulation for the Growth Dynamics of Double Voids during Czochralski Silicon Crystal Growth

著者 (4件)： Guan Xiaojun (School of Materials Sci. and Engineering, Shandong Univ.,State Key Lab. of Crystal Materials, Jinan) ,  Wang Jin (School of Materials Sci. and Engineering, Shandong Univ.,State Key Lab. of Crystal Materials, Jinan) ,  Zhang Xiangyu (School of Materials Sci. and Engineering, Shandong Univ.,State Key Lab. of Crystal Materials, Jinan) ,  Zeng Qingkai (School of Aeronautics,Shandong Jiaotong Univ., Jinan)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 44  号： 5  ページ： 1207-1212  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 成長動力学との相互作用機構を調べるために,Czochralskiシリコン成長中の複空孔の進展プロセスは確立されたフェーズフィールドモデルと対応するプログラムコードでシミュレートした,関連因子の影響則を研究した。結果は:フェーズフィールドモデルは,マトリックス中の空孔の拡散過程と二重空隙の成長プロセスをシミュレーションできることを示す。シミュレーション時間および初期空孔濃度の増加と共に,二重空隙の増大傾向は促進するボイド中心間の初期空間および初期空格子点濃度の増大と共に,成長モデルには競合的成長に対して相互統合から変化する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 空格子点 ,  *シミュレーション ,  *磁気ギャップ ,  計算機コード ,  *ケイ素 ,  相互作用 ,  拡散過程 ,  *結晶成長
準シソーラス用語： 成長モデル ,  フェーズフィールドモデル ,  *フェーズフィールドシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  結晶成長 ,  空隙 ,  成長 ,  動力学 ,  フェーズフィールドシミュレーション