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J-GLOBAL ID：201602218749144907   整理番号：16A0143604

0.1/0.3THz帯電力モジュールの開発

Development of 0.1/0.3 THz-band Power Modules

著者 (6件)： 増田則夫 (NECネットワーク・センサ) ,  吉田満 (NECネットワーク・センサ) ,  藤下祐亮 (NECネットワーク・センサ) ,  小林潤一 (NECネットワーク・センサ) ,  関根徳彦 (情報通信研究機構) ,  菅野敦史 (情報通信研究機構)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 387(ED2015 91-111)  ページ： 111-116  発行年： 2015年12月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロ波技術と光技術の間には,テラヘルツギャップと呼ばれる周波数帯が存在する。この周波数帯では電力発生技術の開発が重要な課題の一つとなっており,マイクロ波真空電子デバイスは高出力の増幅器を実現するための候補として期待されている。本稿では進行波管を使った高出力な増幅器の開発について紹介する。筆者らはW帯で5W出力が得られる進行波管を開発し,ボール紙製の封筒内部の樹脂サンプルのイメージングに適用した。無線通信用として開発している0.3THz帯のテラヘルツ波電力モジュール開発の活動についても報告する。0.3THz帯では進行波管の遅波回路を高アスペクト比で製作するために,MEMS技術を利用している。(著者抄録)

シソーラス用語： *回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  *テラヘルツ波 ,  進行波管 ,  遅波回路 ,  アスペクト比 ,  *MEMS
準シソーラス用語： *サブテラヘルツ波 ,  高アスペクト比 ,  *電力モジュール

分類 (1件)： 電子管,放電管  (NC02020D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電力モジュール ,  開発