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J-GLOBAL ID:201602218809709453   整理番号:16A0033376

電着により合成したCoドープZnOの電界放出特性【Powered by NICT】

FIELD-EMISSION PROPERTIES OF Co-DOPED ZnO SYNTHESIZED BY ELECTRODEPOSITION
著者 (4件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 385-389  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2352A  ISSN: 1000-3258  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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CoドープZnOは,ITO基板上に電着した。試料の構造と表面形態をX線回折と走査電子顕微鏡で解析した。調製したCoドープZnOの電界放出特性も調べた。結果は,Coドーピングは,Coドーパントの濃度を増加させることにより増加ターンオン電場はZnOドーピング系のバンドギャップ変化に関与するを引き起こすことを示した。バンドギャップ変化はバンドのs,p電子間の強いsp-d交換相互作用とドーピング元素の局在d電子に起因する可能性があるこれはZnO系のバンドギャップ制御についての新しい考えを提供するであろう。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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超伝導材料 
タイトルに関連する用語 (5件):
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