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J-GLOBAL ID：201602218871953883   整理番号：16A0154725

高導電性のための堆積した薄型でち密なAgシェルへのAlミクロスフェアの表面チオール化

Surface Thiolation of Al Microspheres to Deposite Thin and Compact Ag Shells for High Conductivity

著者 (7件)： WANG Yilong (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  WEN Jianghong (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHAO Suling (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  CHEN Zhihong (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  REN Ke (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  SUN Jie (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  GUAN Jianguo (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 31  号： 49  ページ： 13441-13451  発行年： 2015年12月15日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無電解銀メッキと組合わせたエタノール/水シラン溶液の制御可能なチオール官能化に対する方法を実証して,連続的でち密な銀層をもつAl@Agコアシェル複合粒子を作製した。修正プロセスへの水の導入は,Alミクロスフェア上の高量のチオール基のグラフト化に安価であることを見出した。また,Alミクロスフェアの表面に共有結合的に付着したチオール基の均一分散に,エタノールは重要な役割を果たす。濃密で均一に分散したチオール基は,無電解銀メッキ中の核生成数を増加する。不均一核生成数の増加は,Alミクロスフェア上に薄型でち密な銀シェルを生成する。作製したAl@Agコアシェル複合粒子は,銀量が15.46wt%と低くとも(8.58±0.07)×10^-5Ω・cmという低い抵抗を示した。

シソーラス用語： 導電性 ,  *銀 ,  *構造 ,  ミクロスフェア ,  置換反応 ,  付加反応 ,  *アルミニウム ,  無電解めっき ,  シラン ,  核形成 ,  抵抗 ,  シランカップリング剤 ,  グラフト化【化学修飾】 ,  脂肪族アルコール ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： *チオール化 ,  核生成

分類 (1件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (2件)： 3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン ,  エタノール

タイトルに関連する用語 (8件)： 高導電性 ,  堆積 ,  薄型 ,  Ag ,  シェル ,  Al ,  ミクロスフェア ,  チオール化