文献

J-GLOBAL ID：201602218939370210   整理番号：16A0048509

MEMSドライバのための300-V LDMOSアナログ多重ドライバ

A 300-V LDMOS Analog-Multiplexed Driver for MEMS Devices

著者 (4件)： DAI Shanshan (Boston Univ., MA, USA) ,  DAI Shanshan (Brown Univ., RI, USA) ,  KNEPPER Ronald W. (Boston Univ., MA, USA) ,  HORENSTEIN Mark N. (Boston Univ., MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻： 62  号： 12  ページ： 2806-2816  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： C0226B  ISSN： 1549-8328  CODEN： ITCSCH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい周波数補償トポロジー及び改善オフアイソレーション性能をもつHVアナログスイッチに基づいた,高電圧(HV)B級オペアンプを提案した。この両者とも,容量性アクチュエータドライビングシステムに不可欠であった。主要ポールの他に,提案したHVオペアンプは,二つの非主要ポール及び一利得周波数内に位置する二つのゼロも有していた。この新しい周波数補償トポロジーは,100pF-10nFの広い容量駆動範囲を可能にし,出力電圧リンギング及びオーバーシュートを大きく低減した。実験結果は,HVアナログスイッチが,オフ状態中における280V以下での極端に低い漏れ電流を示すことを実証した。

シソーラス用語： スイッチ ,  *MEMS ,  *駆動回路 ,  *MOSFET ,  *周波数補償 ,  *高電圧 ,  *集積回路 ,  変換器 ,  *演算増幅器 ,  信号現象 ,  オーバシュート ,  漏れ電流 ,  *CMOS構造 ,  半導体プロセス ,  半導体チップ ,  *多重装置
準シソーラス用語： アナログスイッチ ,  LDMOS ,  B級増幅器 ,  レベルシフター ,  リンギング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： MEMS ,  ドライバ ,  LDMOS ,  アナログ ,  多重