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J-GLOBAL ID：201602218966202907   整理番号：16A0271463

減圧CVD法によるリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の作製

Preparation of Lithium Doped Zinc Oxide Thin Film by Low Pressure Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： 三澤京介 (東海大 大学院工学研究科) ,  淺香隆 (東海大 大学院工学研究科) ,  樋口昌史 (東海大 大学院工学研究科) ,  秋山泰伸 (東海大 大学院工学研究科)
資料名： Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan  (Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan)
巻： 23  号： 381  ページ： 69-74  発行年： 2016年03月01日 
JST資料番号： F0275A  ISSN： 1345-3769  CODEN： JSIJFR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)薄膜は透明導電膜の主力であるITOの代替材料として期待されている。本研究では,低温で蒸気圧の高いアセチルアセトナート亜鉛と安価なリチウム-tert-ブトキシドを原料に用い,減圧熱CVD(LPCVD)により,酸化亜鉛薄膜と酸化リチウム薄膜をそれぞれ作製した。次に,強誘電性リチウムドープ酸化亜鉛の作製を目的に,原料同時供給した場合の,成膜速度,結晶性,段差被覆性などの知見を得た。アセチルアセトナート亜鉛とリチウム-tertブトキシドを同時に供給したとき,400~700°Cの全ての温度でリチウムドープ酸化亜鉛の結晶ピークが確認された。リチウムドープ酸化亜鉛薄膜の成膜温度は,結晶性優先なら600°C,カバレッジ優先なら400°Cが望ましい。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  リチウム ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  *LPCVD ,  *微細構造 ,  結晶度 ,  被覆率 ,  堆積速度 ,  熱CVD ,  結晶構造 ,  X線回折分析 ,  電子顕微鏡観察 ,  酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物 ,  減圧CVD ,  微細組織 ,  結晶性 ,  ステップカバレッジ ,  走査電子顕微鏡法 ,  代替材料 ,  ITO

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (2件)： アセチルアセトナート亜鉛 ,  リチウムtert-ブトキシド

引用文献 (12件)：

• 山本哲也,酸化亜鉛の最先端技術と将来,シーエムシー出版(2011)p.108,142.
• A. onodera, H. sato, Material Integration, 12, p. 27-32 (1999).
• 草野英二,はじめての薄膜作製技術,工業調査会(2006)p.133.
• Y.Akiyama,東海大学紀要工学部,45,115-120(2005).
• S. C. Jung, N. Imaishi, J. Chem. Eng. Japan, 21, 143-151 (1995).

タイトルに関連する用語 (6件)： 減圧 ,  CVD法 ,  リチウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛薄膜 ,  作製