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J-GLOBAL ID:201602219419896852   整理番号:16A0034197

バナジウムを用いた表面改質によるσFe_2O_3材料の光電気化学活性の増強【Powered by NICT】

Enhancement of the Photoelectrochemical Activity of σ-Fe_2O_3 Materials by Surface Modification with Vanadium
著者 (8件):
資料名:
巻: 31  号: 10  ページ: 1895-1904  発行年: 2015年 
JST資料番号: W0391A  ISSN: 1000-6818  CODEN: WHXUEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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半導体材料の表面改質は,光触媒と光変換活性を改善する有効な方法である。裸およびVαFe_2O_3光電極材料を,水熱,化学浴析出法と熱処理法を用いて調製した。それらの物理化学的および光電気化学的(PEC)特性をX線回折(XRD),UV-Vis拡散反射分光法(UV-Vis DRS),ボルタンメトリー,電気化学ACインピーダンス分光法(EIS)技術を用いて調べた。FeVO_4の存在はその特徴的なX線回折パターンにより示唆されたが,光吸収端の著しい赤方偏移がUV-Vis拡散反射分光法スペクトルでは検出されなかった。光アノードとして機能するVと裸Fe_2O_3により,光電気化学測定は,1モルL-1~(-1)NaOH(pH 13.6)における水分解を行った。V修飾によるαFe_2O_3光電気化学活性の増強は,著しく増加した光電流と減少した電荷再結合確率により示唆された。電気化学的ACインピーダンス分光法スペクトルを測定することにより,照射された電極/溶液界面での電荷移動のための擬一次速度定数を推定した。Fe_2O_3電極の改質のための速度定数は裸Fe_2O_3電極のそれよりも高かった。V改質による改良された界面電荷移動速度はαFe_2O_3の増強された光電気化学活性の原因である。界面電荷移動と再結合過程とそれらの特性は電極システムのために構築された半導体エネルギーバンドモデルを用いて議論した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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電気化学反応  ,  電極過程 
タイトルに関連する用語 (5件):
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