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J-GLOBAL ID：201602219808155647   整理番号：16A0145373

大きな単結晶の高品質単層MoS₂の酸素支援化学蒸着成長

Oxygen-Assisted Chemical Vapor Deposition Growth of Large Single-Crystal and High-Quality Monolayer MoS₂

著者 (17件)： CHEN Wei (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN Wei (Gannan Normal Univ., Jiangxi, CHN) ,  ZHAO Jing (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Jing (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  GU Lin (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  GU Lin (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  YANG Zhenzhong (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LI Xiaomin (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YU Hua (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHU Xuetao (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YANG Rong (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  SHI Dongxia (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIN Xuechun (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  GUO Jiandong (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  BAI Xuedong (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Guangyu (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Guangyu (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 137  号： 50  ページ： 15632-15635  発行年： 2015年12月23日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶の単層MoS₂を酸素支援化学蒸着により成長させることに成功した。成長環境に少量の酸素を添加すると,MoS₂分域の成長が大きく改善された。SiO₂上へ大きさが~340μm,室温電子移動度が~90cm²/(V・s)の三角形の単層MoS₂ドメインが得られた。成長過程における酸素の役割は,MoO₃前駆体粉末源の毒化を防ぐと共にエッチング試薬として作用することを実証した。転写したMoS₂の高い室温電子移動度と透過型電子顕微鏡像から,比較的低い欠陥密度の超高品質が明らかになった。この方法は,高変数の単結晶単層MoS₂を成長する先進の方法となることが分った。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  単一層 ,  *単原子層 ,  酸素 ,  分域構造 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流電圧特性 ,  キャリアガス ,  *化学蒸着 ,  キャリア移動度 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *電子移動度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 単結晶 ,  高品質 ,  単層 ,  MoS2 ,  酸素 ,  支援 ,  化学蒸着 ,  成長