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J-GLOBAL ID：201602219867986609   整理番号：16A0838044

Si中Cu,Niの熱的振る舞い:フォトルミネッセンス/DLTS測定

著者 (3件)： 中村稔 (茨城大学 工学部) ,  村上進 (茨城大学 工学部) ,  鵜殿治彦 (茨城大学 工学部)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 37  号： 3  ページ： 128-133(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 浮遊帯溶融法で育成したSi結晶FZ-Si中におけるCuとNiの熱的振る舞いについて筆者らが最近測定した結果を中心に紹介した。Cuの熱的振る舞いとして,Cuセンタ濃度とCu表面濃度との関係,Cuセンタ形成に及ぼす拡散温度の影響,アニーリングによるCuセンタの変遷,Cuセンタ分解反応による結合推定,Cuセンタモデルについて解説した。Niの熱的振る舞いとして,Niセンタ形成に及ぼす拡散温度の影響について述べた。両金属の振る舞いはかなり異なり,拡散に際して希薄Niは低温でも外方拡散し特徴的な深さプロファイルを形成するが,Cuはバルク内に保存され,800°C以上にならないと外方拡散しないことが分かった。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *銅 ,  *ニッケル ,  挙動 ,  *光ルミネセンス ,  *深準位過渡分光法 ,  不純物 ,  ゾーン融解 ,  単結晶 ,  深さプロフィル ,  拡散 ,  濃度 ,  *熱挙動 ,  表面濃度
準シソーラス用語： 金属不純物 ,  外方拡散

分類 (3件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  光学スペクトル及び光散乱一般  (BM08050S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (38件)：

• 1) W.C. Dash: J. Appl. Phys. 27, 1193 (1956).
• 2) A. Goetzberger and W. Shockley: J. Appl. Phys. 31, 1821 (1960).
• 3) K. Graff: “Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication” (Springer, Berlin, 1995).
• 4) A.A. Istratov, H. Hieslmair and E.R. Weber: Appl. Phys. A 70, 489 (2000).
• 5) N.S. Minaev, A.V. Mudryi and V.D. Tkachev: Sov. Phys. Semicond. 13, 233 (1979).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Cu ,  Ni ,  フォトルミネッセンス ,  DLTS