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J-GLOBAL ID:201602220451325961   整理番号:16A0070668

In/MgをドープしたZnOナノコーンの電子構造と電界放出特性【Powered by NICT】

Electronic Structures and Field Emission Properties of ZnO Nanocones Doped with In/Mg
著者 (2件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 1897-1904  発行年: 2015年 
JST資料番号: W0398A  ISSN: 1000-985X  CODEN: RJXUEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ZnO NC(酸化亜鉛ナノコーン)の異なる幾何学的構造を第一原理密度汎関数理論全に基づいて研究したZnO NC系の構造安定性の5種類が得られた。電子構造解析は,最適電界放出特性をもつZn(4p)ことを示した。これに基づいて,Zn-Zn(4p)システムにドープしたMgはさらに電界放出特性について調べた。結果は,増強された構造安定性をドーピングすると,Mgドープおよび非ドープ系,インジウム原子をドープした系と比較して先端でEF(Fermi準位),およびより高い電子密度に近いピーク位置とLDOS(局所状態密度)を改善できることを示した。Mulliken電荷,HOMO(最高被占軌道)-LUMO(最低空軌道)ギャップ,有効仕事関数の解析から,In-In(4p)はより優れた電界放出特性を有することを示している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
分類
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熱電子放出,電界放出 

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