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J-GLOBAL ID:201602221742011456   整理番号:16A1342919

電子ビーム取出しを改善したダブルゲートスピント型フィールドエミッタ

Double-Gated, Spindt-Type Field Emitter With Improved Electron Beam Extraction
著者 (8件):
資料名:
巻: 63  号:ページ: 2182-2189  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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超高感度,小型,高精細テレビジョンカメラを開発する究極の目的で,フィールドエミッタアレイ(FEA)と高利得アバランシェラッシング非結晶光導電体(HARP)ターゲットからなる高感度の小型イメージセンサを開発した。ダブルゲートFEは,コンパクトな電子ビームフォーカシングシステムの長所があるが,センサにより再生される画像の強度は低い電子ビーム電流のために均一でない。さらに,シミュレートされた電子ビーム電流は測定された電流と一致しない。センサの使用を可能にするために,ダブルゲートスピント型FE(電子ビーム取出しを改善した)の凸型構造とボルケーノ構造の二つのタイプの電子ビーム電流特性を検討した。初期の電子速度が仮定され,アノードの電流-電圧特性のシミュレーション結果と測定結果が一致する場合,ダブルゲートスピント型FEを使用したイメージセンサの高度に正確なシミュレーションモデルを調査し,ダブルゲートスピント型FEから取り出された電子ビーム電流のシミュレーション結果は,測定された電子ビーム電流と一致した。たとえば,15Vのフォーカシング電極電圧で開くゲート電極の下0.2μmにフォーカシング電極を配置した場合の凸型構造とボルケーノ構造から取り出された電子ビーム電流はそれぞれ,フォカシング電極がゲート電極の上の1.5μmに積み重ねられ場合の先に使用されたFEから取り出されたものより1.8倍と1.9倍大きい。その結果は,再現された画像の強度の均一性の劣化を低減する可能性を示し,センサの高度に正確なシミュレーションモデルがセンサのダブルゲートFEAを設計するために有効であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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光電変換管 
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