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J-GLOBAL ID：201602222692341908   整理番号：16A0886554

SIをドープしたA1_2O_3の電子構造を第一原理計算した。【JST・京大機械翻訳】

First-principles calculation of electronic structures of Si-doped Al_2O_3

著者 (3件)： Fu Chunping (Department of Physics, Chongqing University of Arts and Sciences) ,  Sun Lingtao (Department of Physics, Chongqing University of Arts and Sciences) ,  Cheng Zhengfu (Department of Physics, Chongqing University of Arts and Sciences)
資料名： Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao  (Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao)
巻： 33  号： 1  ページ： 142-146  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2079A  ISSN： 1000-0364  CODEN： YYFXEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では第一性原理を用い,純AL_2O_3とSIドープSI_(0.167)AL_(0.833)O_(1.5),S_(0.25)AL_(0.75)O_(1.5)結晶系のバンド構造、状態密度に対して計算分析を行った。結果:エネルギーギャップは,SIがAL_2O_3結晶において占める割合の増加に伴い系のエネルギーギャップは小さくなり,結晶SI_(0.25)AL_(0.75)O_(1.5)系においてすでに2.5EV低下する,この系が半導体材料であることを示した;にドープした系において,数本の分散の通過したバンドFERMI準位がある,即ち,このドープ系は特別な光性質があると予測することができる;同時に,SIをドープした純AL_2O_3とSI_(0.167)AL_(0.833)O_(1.5)SI_(0.25)AL_(0.75)O_(1.5)結晶系の全状態密度を比較した。ドープ系の価電子帯と伝導帯領域低エネルギーへの移動が見られた。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 状態密度 ,  価電子バンド ,  エネルギーギャップ ,  伝導バンド ,  結晶系 ,  結晶 ,  *ドーピング ,  バンド構造 ,  半導体材料 ,  電子構造
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： First-principles ,  Al_2O_3 ,  Band structures ,  Si-doped

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ドープ ,  電子構造 ,  第一原理計算