文献
J-GLOBAL ID：201602222790403156   整理番号：16A0726812

InP基板上にZnSnAs_2:Mn薄膜の膜特性へのMBE成長パラメータの影響【Powered by NICT】

Influence of MBE growth parameters on film properties of ZnSnAs2:Mn thin films on InP substrates
著者 (6件)：
Ogo M.

Ogo M. について

(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan)

Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan について

, 
Takahashi K.

Takahashi K. について

(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan)

Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan について

, 
Hidaka S.

Hidaka S. について

(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan)

Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan について

, 
Toyota H.

Toyota H. について

(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan)

Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan について

, 
Kato T.

Kato T. について

(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan)

Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan について

, 
Uchitomi N.

Uchitomi N. について

(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan)

Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology (Nagaoka Univ. of Tech.), 1603-1 Kamitomioka-cho 940-2188, Japan について


資料名：
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

IEEE Conference Proceedings について


巻： 2016  号： CSW  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
InP基板上に分子ビームエピタクシー(MBE)により成長させたMnドーピングなし多元ZnSnAs_2薄膜の膜特性に及ぼす成長パラメータの影響を調べた。成長パラメータとして,基板温度とビーム等価圧力(BEP)を変化させた。基板温度が340°Cのときに最も化学量論ZnSnAs_2薄膜が得られた。高品質MnドープZnSnAs_2(ZnSnAs_2:Mn)薄膜をZn源のビームフラックスを減少させることにより実現できることを見出した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
化学量論

化学量論 について

, 
*MBE成長

MBE成長 について

, 
ドーピング

ドーピング について

, 
*リン化インジウム

リン化インジウム について

, 
*マンガン

マンガン について

, 
*薄膜

薄膜 について

, 
基板温度

基板温度 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
高品質

高品質 について

, 
*生長パラメータ

生長パラメータ について

, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
データ通信 
(ND11040A)

データ通信 について

,  システム同定 
(IA02040O)

システム同定 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
InP

InP について

, 
Mn

Mn について

, 
薄膜

薄膜 について

, 
膜特性

膜特性 について

, 
MBE成長

MBE成長 について

, 
パラメータ

パラメータ について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM