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J-GLOBAL ID:201602223099664629   整理番号:16A0993124

多層前駆体法により蒸着したステンレス鋼基板上の柔軟なCu(In,Ga)Se2太陽電池:その光起電性能と深いレベルの欠陥

Flexible Cu(In,Ga)Se2 solar cell on stainless steel substrate deposited by multi-layer precursor method: its photovoltaic performance and deep-level defects
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資料名:
巻: 24  号:ページ: 990-1000  発行年: 2016年07月 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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[Ga]/([Ga+In])GGI,およびFe濃度を変えた,ソーダライムガラス上とステンレス鋼SUS基板上のCu(In,Ga)Se2(CIGS)膜をいわゆる多層前駆体法で製作した。光深さレベル過渡分光法により,原子価帯域最大(Ev)から0.8eVにある深レベル欠陥を観察した。この結果は,GGIが0.4以上のとき再結合中心になって,セル性能を低下させる。さらにEvから0.45eVにあるSUS基板上のCIGS膜にFe関連深レベル欠陥を検出した。その密度はCIGS膜のFe濃度と整合した。SCAPSシミュレーションと実験結果に従うと,閾値以上のFe濃度はキャリア寿命と電流密度を減らし,約0.4以上のGGIを持つセル性能により危険な影響を持つ。一方,閾値以下のFe濃度はセル性能への悪い影響がない。すなわち,約2%以内の変換効率変化がある。約5.2×1016原子/cm3にFe濃度を低下させて,閾値以上Fe濃度を低下させて,効率17.5%のSUS基板上のCIGS太陽電池を製作した。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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太陽電池 

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