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J-GLOBAL ID:201602224386698343   整理番号:16A0919081

隣接SrTiO3(100)基質上のLiCoO2エピタキシャル薄膜の配向配列

Orientation alignment of epitaxial LiCoO2 thin films on vicinal SrTiO3 (100) substrates
著者 (11件):
資料名:
巻: 325  ページ: 306-310  発行年: 2016年09月01日 
JST資料番号: B0703B  ISSN: 0378-7753  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SrTiO3(100)基質上にLiCoO2上が(104)配向にエピタキシャル成長する。LiCoO2薄膜がSrTiO3の四つの等価な<111>軸に平行なc-軸に沿って成長する事から,(104)配向薄膜はSrTiO3(100)基質上で四分域構造を示す。基質表面にオフカット角を導入するとSrTiO3の四つの<111>軸間の均衡が崩れて,オフカット表面の下降方向へのc-軸に沿って特定の配位の成長が生ずる様になる。オフカット角の上昇と堆積速度の低下によってステップフロー成長が容易になり,分域のc-軸がSrTiO3の一つの<111>方向に向けて完全に配列する。LiCoO2薄膜は低放電速度0.01Cで放電容量90mAh/gを示し,高放電速度100Cでも25%の容量を維持する。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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