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J-GLOBAL ID：201602224938377779   整理番号：16A0769357

InFO(ウエハレベル集積ファンアウト)技術【Powered by NICT】

InFO (Wafer Level Integrated Fan-Out) Technology

著者 (4件)： Tseng Chien-Fu ,  Liu Chung-Shi ,  Wu Chi-Hsi ,  Yu Douglas
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECTC  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強力な集積ファンアウト(InFO)ウエハレベルシステムインテグレーション(WLSI)技術は,スマートモバイルデバイスのためのメモリ・パッケージを用いた応用プロセッサチップを統合するために開発した。この新しいInFO技術は産業に提案した多層高密度相互接続によるファン外ウエハレベルパッケージ(FO_WLP)最初の高性能である。本論文では,いくつかの他の以前に提案した3Dパッケージソリューションを持つパッケージ(InFO_PoP)に及ぼすInFOパッケージの詳細な比較を示した。結果はInFO_PoPが他のものよりシステム性能,漏洩電力と面積(形状因子)により最適化された全体的な結果を持ち,モバイルコンピューティングのシステム要求に適合することを示した。InFO技術は,ロバストな成分とボードレベル信頼性のパッケージレベルに認定することに成功した。も高いエレクトロマイグレーション抵抗を持つ相互接続レベルで検証した。均一および不均一の両サブシステムのためのマルチチップインテグレーションのその高い柔軟性と強い能力を有する,InFO技術はシステムスケーリング解を提供するだけでなくチップスケーリングを補完し,物のスマートだけでなく移動インターネット(IoT)応用のためのMooreの法則を維持するのに役立つ。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 柔軟性 ,  形状因子 ,  三次元 ,  インターネット ,  最適化 ,  *送風機 ,  エレクトロマイグレーション ,  モバイルコンピューティング ,  相互接続 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： Mooreの法則 ,  漏れ電力 ,  システム性能 ,  ウエハレベルパッケージ ,  *ファンアウト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (3件)： ウエハレベル ,  集積 ,  ファンアウト