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J-GLOBAL ID：201602225305868239   整理番号：16A0782536

超ナノ結晶性ダイヤモンド膜の電子電界放出特性の増大を目的とするプラズマ後処理

Plasma post-treatment process for enhancing electron field emission properties of ultrananocrystalline diamond films

著者 (4件)： Yeh Chien-Jui (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan 300, Taiwan ROC) ,  Chang Hsin-Tzer (Department of Physics, Tamkang University, Tamsui, Taiwan 251, Taiwan ROC) ,  Leou Keh-Chyang (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan 300, Taiwan ROC) ,  Lin I-Nan (Department of Physics, Tamkang University, Tamsui, Taiwan 251, Taiwan ROC)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 63  ページ： 197-204  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は超ナノ結晶性ダイヤモンド(UNCD)膜の電子電界放出(EFE)特性を向上するためにそれらの粒状構造を修飾するプラズマ後処理(ppt)方法を示した。ppt処理したUNCD膜E_o=7.0/μm(J_e=0.8mA/cm² 17.8V/μm)のターンオン場としての向上したEFE特性を示した。TEM研究は,UCND膜のEFE特性を向上させた,最重要因子はppt方法によるナノ黒鉛クラスタの導入であることを明らかにした。しかしながら,このような目標の達成には,一次UND層の粒状構造が相対的に開けたものでなければならない。すなわち,結晶粒の大きさは十分に小さくなければならずかつ粒界はかなり厚さのあるものであり,多量の炭化水素種を含んでいるはずである。導電性UNCD膜を合成するためにはこのような簡単でしっかりした方法が実際の応用に特に有用である。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  ナノ結晶 ,  蒸着膜 ,  電界放出 ,  改良 ,  集合組織 ,  化学修飾 ,  プラズマ処理 ,  クラスタ ,  グラファイト ,  *結晶粒径 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  電流電圧特性 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： *超ナノ結晶性ダイヤモンド膜 ,  *電子電界放出特性 ,  性能向上 ,  粒状構造 ,  *プラズマ後処理 ,  黒鉛クラスタ

著者キーワード (3件)： Ultrananocrystalline diamond films ,  Plasma post-treatment process ,  Electron field emission properties

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ結晶 ,  ダイヤモンド膜 ,  電子 ,  電界放出 ,  プラズマ