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J-GLOBAL ID：201602226174251830   整理番号：16A0610140

高Cr組成の希薄磁性半導体Ge_1-xCr_xTeのエピタキシャル成長

Epitaxial growth of diluted magnetic semiconductor Ge_1-xCr_xTe with high Cr composition

著者 (4件)： Fukuma Y. (Frontier Research Academy for Young Researchers, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Asada H. (Department of Electronic Devices Engineering, Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube 755-8611, Japan) ,  Senba S. (National College of Technology, Ube College, 2-14-1 Tokiwadai, Ube 755-8555, Japan) ,  Koyanagi T. (Department of Electronic Devices Engineering, Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube 755-8611, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 108  号： 22  ページ： 222403-222403-4  発行年： 2016年05月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *クロム合金 ,  *エピタクシー ,  *磁性半導体 ,  テルル化ゲルマニウム ,  希薄磁性半導体
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cr ,  組成 ,  希薄磁性半導体 ,  エピタキシャル成長