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J-GLOBAL ID:201602226174251830   整理番号:16A0610140

高Cr組成の希薄磁性半導体Ge1-xCrxTeのエピタキシャル成長

Epitaxial growth of diluted magnetic semiconductor Ge1-xCrxTe with high Cr composition
著者 (4件):
資料名:
巻: 108  号: 22  ページ: 222403-222403-4  発行年: 2016年05月30日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
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半導体の結晶成長  ,  その他の無機化合物の磁性 
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