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J-GLOBAL ID:201602226861917847   整理番号:16A0642025

製造技術・物づくり技術の実用化 金属の水素チャージとディスチャージを利用した異種電子部材間の非真空雰囲気における拡散接合

著者 (1件):
資料名:
巻: 61  号:ページ: 590-595  発行年: 2016年08月01日 
JST資料番号: F0134A  ISSN: 0387-1037  CODEN: CMNGA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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ワイドギャップSiC半導体を用いたパワー半導体素子は,従来のSiを用いたそれらと比較して電力変換器の電力損失を軽減するだけでなく,耐熱性が高い,小型化が可能,スイッチィングの高速化が図れるといった特徴を持ち合わせているため,自動車(ハイブリッド車等),電機(白物家電等),分散型電源システム(太陽光発電,燃料電池等),産業用機器,汎用インバータ装置,汎用スイッチング電源といった幅広い産業分野への応用が期待されている。本稿では,該モジュールの作製プロセスを前提とした,主には(放熱基板用)良熱伝導性セラミックスと金属部材間の拡散接合を例に筆者らの提案手法について紹介する。本稿では,従来技術とその課題について,金属の水素チャージとそのディスチャージを利用した異種部材間の接合法,AINセラミックス-金属間,水素チャージした金属の昇温ガス脱離特性などについて解説した。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
気体燃料の輸送,供給,貯蔵  ,  その他の金属組織学 

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