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J-GLOBAL ID：201602226935982467   整理番号：16A0753019

SiCをバッファとしたMgB₂テープのMg-Mg結合とT_c間の密接な関係

Close relation between Mg-Mg bonds and T of SiC buffered-MgB₂ tapes

著者 (6件)： Putri Witha B.K. (Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju, 361 763, South Korea) ,  Van Duong Pham (Department of Physics, Sungkyunkwan University, 440 746, Suwon, South Korea) ,  Kang Won Nam (Department of Physics, Sungkyunkwan University, 440 746, Suwon, South Korea) ,  Miyanaga Takafumi (Department of Advanced Physics, Hirosaki University, Aomori, 036 8561, Japan) ,  Yang Dong-Seok (Department of Physics Education, Chungbuk National University, Cheongju, 361 763, South Korea) ,  Kang Byeongwon (Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju, 361 763, South Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 665  ページ： 352-354  発行年： 2016年04月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCバッファ層をバッファとしたハステロイテープ上にMgB₂膜を成長させることによって,一連の超伝導テープを作製した。SiCバッファ層の厚さが増加すると,MgB₂テープの超伝導転移温度(T_c)は如何なる低下も検出されず僅かに上昇した。このT_c挙動はMgB₂の局所構造に生じた変化に由来するかもしれない。EXAFS解析より,SiCバッファ層の厚さが減少すると,Mg-Mg結合の規則化が系統的に増大することが分かった。またSiCの厚さを増大すると,Mg-Mg結合の相対的なランダム結合長ではなくて,Mg-Mg結合長が拡張し,Mg-Mg結合長に対するSiCの明瞭な効果を推測できることを見出した。本短報で示された結果に基づいて,SiCバッファ層がMgB₂の局所構造に著しい効果を持ち,それがMgB₂テープの超伝導特性の基本に寄与することを議論した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *バッファ層 ,  *ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  超伝導材料 ,  化学結合 ,  *テープ ,  臨界温度 ,  転移温度 ,  超伝導 ,  ハステロイ ,  薄膜成長 ,  層厚 ,  構造 ,  局所性 ,  EXAFS ,  規則化 ,  核間距離 ,  ホウ化マグネシウム ,  局所構造 ,  *超伝導テープ

著者キーワード (4件)： MgB₂ ,  SiC buffer layer ,  T ,  Mg-Mg bonds

分類 (1件)： 超伝導材料  (BM04041W)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  バッファ ,  MgB2 ,  テープ ,  Mg ,  Tc