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J-GLOBAL ID：201602228004267651   整理番号：16A0837156

Inドーピング効果を経由したアースを大量に含むCu₂SnS₃の高くなった熱電気特性

Enhanced thermoelectric properties of earth-abundant Cu₂SnS₃ via In doping effect

著者 (4件)： Tan Qing (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, PR China) ,  Sun Wei (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, PR China) ,  Li Zhiliang (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, PR China) ,  Li Jing-Feng (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 672  ページ： 558-563  発行年： 2016年07月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元の硫化銅スズ(Cu-Sn-S)化合物はアースを大量に含む薄膜太陽電池吸収体の有望な候補者として何十年間も調査されている。Cu₂SnS₃はこの材料系の代表的メンバーで,第一原理計算によって有望な熱電材料であると大きく期待されている。この研究ではCu₂SnS₃のバルク材をスパークプラズマ焼結(SPS)と組合わせた機械的合金化(MA)で合成し,それらの結晶構造,電子輸送特性,および高くなった熱電性能を系統的に調査した。元のCu₂SnS₃はp-タイプの熱電材料で,最大300μV/Kの比較的高い熱電能と700Kより高温で1.0W/mK未満の低い熱伝導率を持っていることを見出した。Inのドーピングは電気輸送特性を改良するための効果的な手段で,これによって比較的低い温度(773K)でCu₂Sn_0.9In_0.1S₃の0.6近くの性能指数(ZT)がもらされることが判明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化物 ,  *銅化合物 ,  *スズ化合物 ,  *インジウム ,  ドーピング ,  *電気特性 ,  太陽電池 ,  吸収体 ,  計算 ,  第一原理 ,  熱電材料 ,  放電プラズマ焼結 ,  メカニカルアロイング ,  結晶構造 ,  輸送現象 ,  P型半導体 ,  熱伝導率 ,  性能指数 ,  銅 ,  スズ ,  硫黄 ,  格子定数 ,  粒径 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  キャリア密度 ,  移動度 ,  輸送係数
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  第一原理計算 ,  電子輸送 ,  *熱電気特性 ,  薄膜太陽電池 ,  *硫化銅スズ

著者キーワード (3件)： Thermoelectric materials ,  Copper tin sulfide ,  Doping mechanism

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドーピング効果 ,  アース ,  熱電気特性