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J-GLOBAL ID：201602228843068207   整理番号：16A1216274

高性能電子デバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイス用の強力な電気的調整可能なMoTe₂/グラフェンファンデルワールスヘテロ構造

Strong electrically tunable MoTe₂/graphene van der Waals heterostructures for high-performance electronic and optoelectronic devices

著者 (10件)： Wang Feng (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Yin Lei (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Wang Zhenxing (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Xu Kai (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Wang Fengmei (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Shifa Tofik Ahmed (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Huang Yun (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Wen Yao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  Jiang Chao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China) ,  He Jun (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 19  ページ： 193111-193111-5  発行年： 2016年11月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *固体素子 ,  *テルル化物 ,  *モリブデン化合物 ,  *グラフェン ,  van der Waals力 ,  *素子構造 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 電子デバイス ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  テルル化モリブデン ,  ヘテロ構造

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  電子デバイス ,  オプトエレクトロニクスデバイス