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J-GLOBAL ID:201602228894160314   整理番号:16A1151238

可とう性a-IGZO TFTの単一トランジスタ能動インダクタを用いた20.3dB,0.39mW,AM検出器【Powered by NICT】

20.3dB 0.39mW AM detector with single-transistor active inductor in bendable a-IGZO TFT
著者 (11件):
資料名:
巻: 2016  号: ESSCIRC  ページ: 79-82  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,可撓性a-IGZO TFT技術におけるAM検出器回路を提案した。回路をシングルエンド能動インダクタを負荷した共通ソース段階に基づいており,これはただ一つの能動トランジスタを用いた。能動インダクタを達成回路性能のための重要な要素である。検出回路はわずか0.39mW,同じ技術とモバイルおよびウェアラブル応用のための重要で以前の研究よりも10倍の改善はほとんどを消費する。同時に,最小チップ面積を有している。検出器は,20.3dBの変換利得と約7.5MHzのRF 3dB帯域幅を提供する。fc=13.56MHzでは,11.6dBの利得,RFIDとスマートラベル応用のためのこの無免許ISM無線バンドにおけるその使用を可能にする,を持っている。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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信号理論  ,  無線通信一般 

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