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J-GLOBAL ID：201602229721077534   整理番号：16A1342886

GaN系発光ダイオードのZnO:Gaのpボンディング電極の最適化

Optimization of p-Bonding Electrodes on ZnO:Ga in GaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (3件)： Jun-Hyuk Choi (Dept. of Electron. Eng., Yeungnam Univ., Gyeongsan, South Korea) ,  Sei-Min Kim (Dept. of Electron. Eng., Yeungnam Univ., Gyeongsan, South Korea) ,  Ja-Soon Jang (Dept. of Electron. Eng., Yeungnam Univ., Gyeongsan, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 5  ページ： 1957-1962  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cr(3nm)/Al_0.9Cu_0.1(50nm)反射補助層(RAL)とPd_0.8Al_0.2/Ni/Au層によるGaN系発光ダイオード(LED)のの単結晶GaドープZnO(ZnO:Ga)の最適pボンディング電極(p-BE)を提案した。結合強度,電気等価回路,および光子反射の観点からp-BEの設計要因を記述した。接触試験の結果から,Cr/Al-Cu RAL/Pd-Al/Ni/Auの配列は,他の配列より魅力的であり,ZnO透明電導性電極(TCE)に最適な配列を示した。デバイス性能特性の比較から,開構造ZnO:GaのCr/Al-Cu RAL/Pd-Al/Ni/Au配列を持つLEDの順電圧と出力は,開構造酸化インジウムスズとZnO:GaのCr/Al/Ni/Auを従来通りに使用したLEDの場合と比較して,いちじるしく改善された。さらに,99A/cm²の高いストレス電流密度の下での加速試験では,本LEDのボンディング電極の劣化速度が,他のLEDのものより約190倍遅く,本LEDのより長い寿命とより大きな熱安定性を示した。試験結果に基づき,示されたp-BEが,単結晶ZnO TCEを用いたGaN系LEDの高い性能とすぐれた信頼性を実現するために極めて魅力的であることがわかる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  酸化亜鉛 ,  最適化 ,  電極 ,  ボンディング【IC】 ,  ガリウム ,  ドーピング ,  透明電極 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： 透明電導性酸化物

著者キーワード (5件)： single-crystalline ZnO ,  Gallium nitride ,  light-emitting diodes (LEDs) ,  p-electrode ,  reliability characteristics

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  発光ダイオード ,  ZnO ,  Ga ,  ボンディング ,  最適化