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J-GLOBAL ID：201602231482002877   整理番号：16A1116638

ワンステップ合成法により調整したPbTeSe-ZnSe複合材料薄膜のナノ結晶成長とモルフォロジー

Nanocrystal growth and morphology of PbTeSe-ZnSe composite thin films prepared by one-step synthesis method

著者 (2件)： Sato Kazuhisa (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Abe Seishi (Research Institute for Electromagnetic Materials, Sendai 982-0807, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 120  号： 15  ページ： 155301-155301-6  発行年： 2016年10月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *セレン化亜鉛 ,  鉛化合物 ,  *半導体薄膜 ,  *ナノ結晶 ,  *結晶成長 ,  モルフォロジー ,  ワンポット合成 ,  多結晶 ,  複合材料 ,  電子回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  同時蒸着 ,  温度制御 ,  ナノワイヤ ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 一段階合成

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 合成法 ,  複合材料 ,  薄膜 ,  結晶成長 ,  モルフォロジー