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J-GLOBAL ID:201602232078596346   整理番号:16A0070626

Si(100)表面上のSr吸着のモデル化と第一原理計算【Powered by NICT】

Modeling and First Principle Calculation of Sr Adsorption on Si (100) Surface
著者 (4件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 1363-1369,1382  発行年: 2015年 
JST資料番号: W0398A  ISSN: 1000-985X  CODEN: RJXUEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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Si(100)上のSr吸着の安定吸着構造と特性を研究するために,第一原理擬ポテンシャル平面波法は種々の被覆率と吸着位置と吸着エネルギー,電子状態密度,電子占有率,電荷密度及び電荷密度差を計算した。計算結果は空格子点サイトの吸着エネルギーは3の吸着サイト,Sr原子とSi(100)表面の間の力が最も高い中で最低であることを示した。空孔サイトが最も安定な吸着サイトであることを証明した。さらに,小さな吸着エネルギー,SrとSi(100)間の高い力,及びより安定な吸着構造を低い被覆率で得られた。共有結合とイオン結合を含むSrとSi間の力は,Sr3d軌道電子とs,3p軌道電子(dsp~3ハイブリッド)が寄与している。共有性バンドとイオンバンドは,被覆率,SrとSi間の力はSrとSrとの間の反発力によって弱められることが理由によるものであるかもしれないが小さくなると減少し,反発力は被覆率とともに増大した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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