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J-GLOBAL ID：201602232786651813   整理番号：16A1007634

pH検出用電解質溶液-ゲート電界効果トランジスタとしての酸素終端表面チャネルを有する多結晶ホウ素ドープダイヤモンド

Polycrystalline boron-doped diamond with an oxygen-terminated surface channel as an electrolyte-solution-gate field-effect transistor for pH sensing

著者 (7件)： Shintani Yukihiro (School of Science and Engineering Waseda University, Japan, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Shintani Yukihiro (R&D Dept., Innovation Center, MK-Hdqrs, Yokogawa Electric Corporation, Japan, 2-9-32 Nakacho, Musashino, Tokyo 180-8750, Japan) ,  Ibori Shoji (School of Science and Engineering Waseda University, Japan, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Igarashi Keisuke (School of Science and Engineering Waseda University, Japan, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Naramura Takuro (School of Science and Engineering Waseda University, Japan, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Inaba Masafumi (School of Science and Engineering Waseda University, Japan, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Kawarada Hiroshi (School of Science and Engineering Waseda University, Japan, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 212  ページ： 10-15  発行年： 2016年09月10日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pHセンサとして使用する多結晶ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)電解質溶液-ゲート電界効果トランジスタ(SGFET)を開発した。ホウ素ドープ層を有する多結晶ダイヤモンド膜は,水素終端非ドープダイヤモンドに匹敵する半導体特性を有していた。水素終端BDD表面を,オゾン暴露によって部分的に酸素終端した表面に成功裏に転写し,そのSGFET電流-電圧(I-V)特性をダイヤモンドの電位窓内のバイアス電圧で評価した。ドレインソース電流(Id)-ドレインソース電圧(Vd)特性は,ピンチオフおよび飽和を示した。加えて,それらは2~12のpH値を有する電解質中で安定して操作した。移動特性は,約30mV/pHのpH感度を示した。それは,通常の酸素終端非ドープSGFETと単結晶BDD SGFETのpH感度と同等であった。さらに,BDD SGFETは改善した長期安定性を示し,10ヶ月間のIdの変動係数(CV)は最大10%であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  pH【水素イオン指数】 ,  電解質溶液 ,  端部 ,  酸素 ,  多結晶 ,  *半導体電極 ,  *ドーピング ,  *ダイヤモンド ,  *ホウ素 ,  検出効率 ,  電気化学検出器 ,  水素 ,  末端基 ,  電流電圧特性 ,  半導体 ,  オゾン処理 ,  ソース【半導体】 ,  電気化学 ,  ドレイン【半導体】 ,  バイアス ,  ピンチオフ ,  飽和 ,  高感度 ,  単結晶 ,  変動係数 ,  ゲート【半導体】 ,  *ホウ素ドープダイヤモンド電極 ,  水素終端 ,  電位窓 ,  飽和電流 ,  酸素終端化 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  酸素終端 ,  バイアス電圧 ,  ゲート電圧

著者キーワード (4件)： boron-doped diamond ,  polycrystalline ,  electrolyte-solution-gate FET ,  pH

分類 (3件)： 無機化合物の電気分析  (CC05024D) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： pH ,  電解質溶液 ,  ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  酸素終端 ,  チャネル ,  多結晶 ,  ホウ素ドープダイヤモンド