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J-GLOBAL ID:201602233974665184   整理番号:16A1033013

STO:Fe単結晶を例とした導電率プロファイルと弾性率データの関係:抵抗劣化モデルの改善方法

The relation of electrical conductivity profiles and modulus data using the example of STO:Fe single crystals: A path to improve the model of resistance degradation
著者 (9件):
資料名:
巻: 117  ページ: 252-261  発行年: 2016年09月15日 
JST資料番号: A0316A  ISSN: 1359-6454  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ペロブスカイトの抵抗劣化は,印加電界による経時的な電流の増加によって特徴付けられる。この挙動はシミュレートされ,空間分解された導電率プロファイルを測定することができるが,いくつかの不一致が残る。これらの問題に対処するための,印加されたDC電圧による時間分解インピーダンス分光法を利用した新しい手法が提示され,抵抗劣化現象の新しい知見を提供する。特に,この方法は,導電率の時空間的変化のその場での取得を可能にする。SrTiO3では,弾性率M”の虚数部分の単一のバルク支配最大値が劣化中に2つの最大値へ遷移し,アノード領域における正孔導電率およびカソード領域における電子伝導率を反映する。インピーダンスデータに対する導電率プロファイルの影響を明確にするために,シミュレートされた導電率プロファイルを使用してインピーダンスデータを計算することによって,逆の経路が提示される。この方法論は,ここで検討したペロブスカイト系に限定されず,空間的に変化する導電率によって特徴付けられる任意の種類のシステムに適合させることができることを強調した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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半導体結晶の電気伝導 

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