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J-GLOBAL ID：201602234300806027   整理番号：16A0495978

低電圧DCインバータに対するSiC MOSFET,IGBT,ならびにSi MOSFETの比較

Comparing SiC MOSFET, IGBT and Si MOSFET in LV distribution inverters

著者 (3件)： ROSCOE N. M. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  ZHONG Y. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  FINNEY S. J. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR)
資料名： Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society  (Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society)
巻： 41st Vol.1  ページ： 743-748  発行年： 2015年 
JST資料番号： H0475B  ISSN： 1553-572X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFET素子やマルチレベルコンバータ(MMC)技術の進歩によって低電圧DCコンバータの性能も大きく向上しているが,コンバータの設計時には種々の素子や回路構成あるいはレベル数などの最適組合わせを検討する必要がある。本論では,この選択に役立てるため,SiおよびSiC素子を用いた種々のインバータの性能を比較した。1.2kV IGBTを用いた入力電圧1kVの3レベルインバータを基準として,同一定格のSiC 2レベルコンバータならびに7,11,17,29,および43レベルMMCを対象として,素子損失に全ての回路損失を加えた全損失とEMCを比較した。MOSFETを使用したMMCはIGBTを用いたコンバータより損失が大幅に小さいことが判明したが,SiC 2レベルコンバータとSi MMCの損失は左程の差がなかった。MMCはEMIの点でも優れているが,Si MOSFETを用いると,逆回復特性によってEMIが増大する怖れがある。今後は,この結果を基にSiCやSi MOSFETインバータに対しても検討を行う予定である。

シソーラス用語： 電圧 ,  *インバータ ,  炭化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *MOSFET ,  *IGBT ,  直流 ,  性能評価 ,  電気損失 ,  電磁干渉 ,  信号現象 ,  オーバシュート ,  電力品質 ,  *回路設計
準シソーラス用語： 低電圧 ,  回路構成 ,  *マルチレベルインバータ ,  リンギング

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電圧 ,  DC ,  インバータ ,  SiC ,  MOSFET ,  IGBT ,  Si