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文献
J-GLOBAL ID:201602234362964133   整理番号:16A0942214

放射光XPSによるSi(100)2×1へのCH3Cl吸着反応の研究

著者 (5件):
資料名:
巻: 77th  ページ: ROMBUNNO.15p-P15-4  発行年: 2016年09月01日
JST資料番号: Y0055B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
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半導体の表面構造  ,  物理的手法を用いた吸着の研究 
物質索引 (1件):
物質索引
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タイトルに関連する用語 (5件):
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