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J-GLOBAL ID：201602234374361842   整理番号：16A1229079

自由電子レーザー照射下で成長させた単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御及び電気特性

Chirality Control and Electric Properties of Single-Walled Carbon Nanotubes under Free Electolon Laser Irradiation

著者 (6件)： 保延賢人 (日本大 理工) ,  川口大貴 (日本大 理工) ,  石川翔梧 (日本大 理工) ,  永田知子 (日本大 理工) ,  山本寛 (日本大 理工) ,  岩田展幸 (日本大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 235(CPM2016 55-60)  ページ： 7-11  発行年： 2016年09月28日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 波長800nmの自由電子レーザー(Free Electron Laser:FEL),及びSiO₂/Si基板を用いて成長した単層カーボンナノチューブ(Single-Walled Carbon Nanotube:SWNT)のカイラリティ制御を試みた。FELを照射しながら化学気相成長(Chemical Vapor Deposition:CVD)法で成長させた基板表面像から成長したSWNTを確認した。また,Radial Breathing Mode(RBM)はラマン励起波長785nmにおいてのみ確認できたことから,FEL照射によりFELのエネルギーに相当するバンドギャップを有するSWNTのみ成長させられることが確かめられた。そこからSWNTの直径を算出するとFELの励起波長800nmの場合1.03nm,1.09nmの半導体性SWNTのみを成長したことが確認できた。この結果を間接的でなく直接的に電気測定を行うことによってSWNTsが半導体的性質を持つことを確認した。方法としてガスチャンバー冷却型クライオスタッドを用いて抵抗-温度測定を行った。結果として温度を50K以下にしていくにつれて急激に抵抗の値が高くなった。このことから直接的に半導体の性質を持つSWNTsがFEL照射すると半導体的性質が表れることが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： *自由電子レーザ ,  単層カーボンナノチューブ ,  *性質 ,  化学蒸着 ,  バンドギャップ ,  電気特性 ,  *カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： *CNT【炭素】 ,  CVD【化学蒸着】 ,  *FEL【レーザ】 ,  SWNT ,  *キラリティ

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自由電子レーザー ,  成長 ,  単層カーボンナノチューブ ,  カイラリティ ,  電気特性