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J-GLOBAL ID：201602235639079726   整理番号：16A1285635

分子ビームエピタクシーにより成長させた高内部量子効率をもつAlGaInP太陽電池【Powered by NICT】

AlGalnP solar cells with high internal quantum efficiency grown by molecular beam epitaxy

著者 (6件)： Faucher Joseph (Yale University, New Haven, CT, 06511, USA) ,  Sun Yukun (Yale University, New Haven, CT, 06511, USA) ,  Jung Daehwan (Yale University, New Haven, CT, 06511, USA) ,  Martin Diego (Yale University, New Haven, CT, 06511, USA) ,  Masuda Taizo (Yale University, New Haven, CT, 06511, USA) ,  Lee Minjoo Larry (Yale University, New Haven, CT, 06511, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PVSC  ページ： 0035-0039  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs上の格子整合したAlGaInP太陽電池上に分子ビームエピタクシー(MBE)成長パラメータの影響に関する系統的研究を提示した。MBEは最高の効率を成長し,今日までの格子整合した三重接合(3J)太陽電池に使用されてきた,トップセルで利用可能なバンドギャップエネルギーの範囲を拡大する将来の5~6Jデバイスに向けての重要なステップである。本研究では,内部量子効率値~80%,バンドギャップ電圧オフセット値~600mVの約2.0eV AlGaInP細胞について述べた。これらの値はMBE成長させたAlGaInPの以前の報告を超え有意にが,有機金属気相エピタクシーによって成長させたAlGaInP電池の性能に適合するように更なる研究が必要である。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOCVD ,  ヒ化ガリウム ,  バンドギャップ ,  *電池 ,  格子整合 ,  電圧 ,  *太陽電池 ,  オフセット ,  *MBE成長
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  生長パラメータ ,  *リン化アルミニウムガリウムインジウム ,  *内部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  数値計算  (JE02000J) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  内部量子効率 ,  AlGaInP ,  太陽電池