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J-GLOBAL ID：201602235816765998   整理番号：16A0654331

最適化されたGeリッチGST壁PCMデバイスの高動作温度の信頼性【Powered by NICT】

High Operating Temperature Reliability of Optimized Ge-Rich GST Wall PCM Devices

著者 (8件)： Kluge J. ,  Navarro G. ,  Sousa V. ,  Castellani N. ,  Blonkowski S. ,  Annunziata R. ,  Zuliani P. ,  Perniola L.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMW  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最適化GeリッチGST「壁」相変化メモリ(PCM)デバイスの信頼性は,高い運転温度で調べた。10′7サイクル以上の耐久性は175°Cまで保証される細胞熱耐性45%高い標準GST素子を実証し,細胞減少を与える細胞熱クロストークすることである。温度増加は,プログラミング速度に限られた影響を持つことを示した。最後に,特異的プログラミング配列は高い温度での中間抵抗状態のドリフトを低減するために提案した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： クロストーク ,  *ゲルマニウム ,  計算機プログラミング ,  耐久性 ,  *信頼性 ,  耐熱性 ,  *最適化
準シソーラス用語： 運転温度 ,  相変化メモリ ,  *動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  通信方式一般  (ND07010E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 最適化 ,  Ge ,  GST ,  PCM ,  動作温度