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J-GLOBAL ID：201602236211899014   整理番号：16A1038896

閃亜鉛鉱型CdSeナノプレートレットの形状制御

Shape control of zincblende CdSe nanoplatelets

著者 (5件)： Bertrand Guillaume H. V. (Istituto Italiano di Tecnologia, via Morego 30, IT-16163 Genova, Italy. [e-mail]) ,  Polovitsyn Anatolii ,  Christodoulou Sotirios ,  Khan Ali Hossain ,  Moreels Iwan
資料名： Chemical Communications  (Chemical Communications)
巻： 52  号： 80  ページ： 11975-11978  発行年： 2016年10月14日 
JST資料番号： D0376B  ISSN： 1359-7345  CODEN： CHCOFS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdSeナノプレートレットの幅は,励起子閉じ込め領域の強弱を調節できるサイズを用いて,そのオプトエレクトロニクス的な性質に大きく独特な影響をおよぼす。いくつかのナノプレートレット合成についての最新の報告が存在する;しかしながら,今のところ,旨く制御されているのは厚さだけである。ここでは,面内成長を誘起する試薬を注意深く調節することによって,アスペクト比とナノプレート全体にわたる制御を実現できることを実証した。Cd(OAc)₂/Cd(OAc)₂2H₂O混合内の水和Cd(OAc)₂の割合を変えることにより,ナノプレートレットのアスペクト比をテーラー加工することができた。これは,反応時間に依存せずに起こり,全体の長さと幅の微細調節に用いることができる。特定の面の表面エネルギーを変化させる微量の水酸化陰イオンのin situ形成による解釈を与えた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 励起子 ,  *セレン化カドミウム ,  化合物半導体 ,  *ナノ構造 ,  *形状制御 ,  結晶成長 ,  アスペクト比 ,  表面エネルギー ,  *サーボ制御
準シソーラス用語： *ナノプレートレット

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 閃亜鉛鉱 ,  CdSe ,  ナノプレートレット ,  形状制御