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J-GLOBAL ID:201602236470846797   整理番号:16A0771832

KバンドにおけるSatCom応用のための40dBm AlGaN/GaN HEMT電力増幅器MMIC【Powered by NICT】

A 40 dBm AlGaN/GaN HEMT power amplifier MMIC for SatCom applications at K-band
著者 (5件):
資料名:
巻: 2016  号: IMS  ページ: 1-4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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設計,実現,40dBmの飽和出力パワーを持つKバンド高出力増幅器の特性化を本論文で述べた。増幅器は半絶縁性SiC基板上の250nmゲート長AlGaN/GaN HEMT MMIC技術を用いて実現した。二段増幅器は,運転者の二六×90μm HEMT細胞と最終段階で四八×100μm HEMTセルを設計して,1:3の比較的攻撃的病期分類比を示した。32Vの電源電圧で測定すると,増幅器は,18GHzで40dBmの飽和出力電力を出力した。この周波数でピークPAEは30%であり,線形利得は20dBを超えた。これらの結果はKバンドで電力/効率に関して最新の性能である。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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増幅回路  ,  移動通信 

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