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J-GLOBAL ID：201602236774245147   整理番号：16A0806999

Ge上の仮像Ge_1x ySi_xSn_yのバンド構造と光学特性【Powered by NICT】

Band structure and optical properties of pseudomorphic Ge_1-x-ySi_xSn_y on Ge

著者 (7件)： Fernando N. S. (Department of Physics, New Mexico State University, Las Cruces, NM 88003) ,  Hickey R. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, Newark DE 19716) ,  Hart J. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, Newark DE 19716) ,  Hazbun R. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, Newark DE 19716) ,  Zhang D. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, Newark DE 19716) ,  Kolodzey J. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, Newark DE 19716) ,  Zollner S. (Department of Physics, New Mexico State University, Las Cruces, NM 88003)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SUM  ページ： 98-99  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Geは間接バンドギャップ材料である。Geのバンド構造を歪と合金組成の強い関数であり,直接バンドギャップに間接の遷移が緩和Ge_1_ySn_y Geベースフォトニックデバイスの広範な応用の可能性を示すための線量平均線エネルギーの6~10%が観察された。基板上のGeベース合金層のシュードモルフィック性質はデバイスの性能を改善するために界面での低い転位密度維持に重要である。SiとSnによる歪と合金化を制御することによりGeのバンドギャップ工学は大きな関心を集めている二組成の自由度を持つGe_1x ySi_xSn_y三元合金は,格子定数と電子構造のデカップリングを可能にするからである。Ge_1x ySi_xSn_yバンド構造の組成および歪依存性の知識は,所望のバンド間遷移エネルギーをもつフォトニックデバイスの設計にとって重要である。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *スズ ,  *仮像 ,  三元合金 ,  界面 ,  合金化 ,  *バンド構造 ,  格子定数 ,  転位密度 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： フォトニックデバイス ,  バンド間遷移 ,  歪依存性 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 信号理論  (ND02020G) ,  無線通信一般  (ND08010L) ,  音声処理  (JE05000E) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  仮像 ,  バンド構造 ,  光学特性