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J-GLOBAL ID：201602237242880528   整理番号：16A1116587

自立GaN基板上に成長させたエピタキシャルn-GaN層を用いた高安定かつ低密度のAl₂O₃/GaN界面

Highly-stable and low-state-density Al₂O₃/GaN interfaces using epitaxial n-GaN layers grown on free-standing GaN substrates

著者 (6件)： Kaneki Shota (Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan) ,  Ohira Joji (Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan) ,  Toiya Shota (Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan) ,  Yatabe Zenji (Priority Organization for Innovation and Excellence, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan) ,  Asubar Joel T. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan) ,  Hashizume Tamotsu (Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 16  ページ： 162104-162104-5  発行年： 2016年10月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *エピタクシー ,  *酸化アルミニウム ,  *表面準位 ,  *化学蒸着 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  ゲートリーク電流

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自立 ,  GaN ,  成長 ,  エピタキシャル ,  低密度 ,  Al2O3 ,  界面