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J-GLOBAL ID：201602238862916388   整理番号：16A1030276

SiGe BiCMOSによる全送電線220GHz差動LNA【Powered by NICT】

An all-transmission-line 220 GHz differential LNA in SiGe BiCMOS

著者 (4件)： Mao Yanfei (Engineering College, Zhejiang Normal University, Jinhua, China) ,  Shiju E (Engineering College, Zhejiang Normal University, Jinhua, China) ,  Schmalz Klaus (IHP Microelectronics, Frankfurt Oder, Germany) ,  Scheytt Christoph (Heinz-Nixdorf Institute, Paderborn University, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： RFIT  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe BiCMOS技術における四段階全ての伝送線路220GHz差動LNAを提示した。カスコードトポロジーは各段階で選択した。増幅器は低雑音増幅器(LNA)の誘導性負荷,Marshandバラン,入力,出力,および段間マッチングを実現するマイクロストリップ伝送線路を利用している。LNAは224GHzで-21dB,6GHz以上の3dB帯域幅の利得を持っている。電源電圧3V,消費電力234mWであった。増幅器は220GHzで通信,セキュリティ走査,撮像とリモートセンシングにおける使用を意図している。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 消費電力 ,  リモートセンシング ,  帯域幅 ,  伝送線路 ,  バルン ,  利得 ,  増幅器 ,  マッチング ,  低雑音増幅器 ,  撮像 ,  マイクロストリップ線路 ,  *送電線
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  誘導性負荷 ,  *SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  BiCMOS ,  送電線 ,  差動 ,  LNA