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文献
J-GLOBAL ID:201602238873522952   整理番号:16A1336446

1×nmパターン形成用ナノインプリントリソグラフィーのオーバレイ改善

Overlay improvement in nanoimprint lithography for 1×-nm patterning
著者 (10件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: 06K405-06K405-5  発行年: 2016年11月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ナノインプリントリソグラフィー(NIL)は他のリソグラフィー技術よりも低コストで微細パターンを形成できる有望な技術である。高いオーバレイ精度はNILの問題の一つである。モアレ縞検出とダイ・バイ・ダイ配列を用いて,1nm以下のNILアラインメント測定精度と5nm以下のオーバレイ精度が報告されている。他方,2020年のオーバレイ要件はダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM),フラッシュおよび論理素子の場合は3~4nmと見積もられている。半導体産業からのオーバレイ精度の要求に応えるために,NILツールのオーバーレイ制御精度の向上,NILテンプレートの画像配置精度向上,NILのミックスマッチ技術など,多くの技術が強化され,液浸露光などのリソグラフィーツールが必要とされている。本論文では,最新のNILツールを使用したNILオーバレイ性能の評価について説明し,将来のNILオーバレイの可能性を検討した。NILツール,NIL対NIL,NIL対フォトリソグラフィーツールの歪みマッチング性能とオーバレイエラーの構造解析のアライメント確度,精度,オーバレイ補正性能について説明した。NILオーバレイデータに基づくこれらの分析から,1Xnm素子の大量生産への適応を実現するNILオーバレイの進化の可能性について論じた。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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