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J-GLOBAL ID：201602239219303818   整理番号：16A0930363

化学気相蒸着法によるMo_xNb_1-xS₂薄膜の作製

著者 (5件)： 渡邉翔 (北大 大学院) ,  上原史也 (北大 工) ,  柳瀬隆 (北大 大学院) ,  長浜太郎 (北大 大学院) ,  島田敏宏 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-A33-4  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  カルコゲン化物 ,  *モリブデン化合物 ,  *ニオブ化合物 ,  硫化物 ,  蒸着膜 ,  *化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  キャリアガス ,  ドーピング ,  パラメータ ,  遷移金属化合物 ,  結晶度
準シソーラス用語： 気相蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  薄膜 ,  作製