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J-GLOBAL ID：201602240677244004   整理番号：16A0771612

0.5mWピーク出力パワーを持つII219GHz基本発振器と65nm CMOSによる2.08%DC対RF効率【Powered by NICT】

A 219-GHz fundamental oscillator with 0.5 mW peak output power and 2.08% DC-to-RF efficiency in a 65 nm CMOS

著者 (3件)： Hyeok-Tae Kwon (School of Electrical Engineering, Chungbuk National University, Korea) ,  Dat Nguyen (School of Electrical Engineering, Chungbuk National University, Korea) ,  Jong-Phil Hong (School of Electrical Engineering, Chungbuk National University, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,2.08%DC対RF効率を持つ219GHz基本的なCMOS発振器を提案した。提案した構造は,容量性負荷低減技術を採用することにより,高い基本周波数で振動する。さらに,差に単一(DTS)変圧器は差動信号を組合せて出力を増加した。提案した発振器を65nm CMOSプロセスで作製した。測定は219GHzの基本振動周波数で0.5mWの出力パワーを示し,1V供給電圧から24mAを消費した。本研究では,200と300GHzの周波数範囲で従来の最先端技術発電機と比較して,より高いDC-RF効率を持つ基本振動子を提示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 変圧器 ,  周波数 ,  振動数 ,  振動子 ,  基本振動数 ,  *発振器 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  差動信号 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： パワー ,  発振器 ,  CMOS ,  RF