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J-GLOBAL ID：201602240796599451   整理番号：16A1153217

二峰性欠陥中心挙動による40nm SiONと28nm H KMGにおけるリング発振器の物理RTNモデル化【Powered by NICT】

Physical-based RTN modeling of ring oscillators in 40-nm SiON and 28-nm HKMG by bimodal defect-centric behaviors

著者 (8件)： Oshima Azusa (Kyoto Institute of Technology) ,  Komawaki Takuya (Kyoto Institute of Technology) ,  Kobayashi Kazutoshi (Kyoto Institute of Technology) ,  Kishida Ryo (Kyoto Institute of Technology) ,  Weckx Pieter (KU Leuven) ,  Kaczer Ben (imec) ,  Matsumoto Takashi (University of Tokyo) ,  Onodera Hidetoshi (Kyoto University)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SISPAD  ページ： 327-330  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は通常の単一モードトラップモデルの代わりに回路レベルへの影響を予測するためのランダム電信雑音(RTN)の二峰性トラップモデルを適用した。トラップNの平均数とゲート誘電体中のトラップη当たりのしきい電圧Vthの平均衝撃に代表される二種類のトラップ分布はリング発振器(ROs)の測定したRTN分布は二峰性トラップモデルに従うことにしている。40nm SIONと28nmH過程に及ぼすRTNによるROsの周波数変動の分布を再現した。標準サイズトランジスタを用いたROは最小サイズトランジスタを用いたROからのスケールパラメータによってモデル化することができる。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数変動 ,  *リング発振器 ,  スケールパラメータ ,  *モデリング ,  単一モード ,  衝撃 ,  ゲート絶縁膜 ,  閾値電圧 ,  電信雑音

分類 (2件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 欠陥 ,  挙動 ,  SiON ,  リング発振器 ,  物理 ,  モデル化