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J-GLOBAL ID：201602241056367369   整理番号：16A0943472

Fe₃O₄電極とMgOバリアを用いたトンネル磁気抵抗素子の作製

著者 (5件)： 山本雄太 (北大 院総合化学院) ,  佐々木駿 (北大 院総合化学院) ,  柳瀬隆 (北大 院工学研究院) ,  島田敏宏 (北大 院工学研究院) ,  長浜太郎 (北大 院工学研究院)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 40th  ページ： 211  発行年： 2016年08月22日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 磁気抵抗 ,  *TMR素子 ,  酸化マグネシウム ,  電極 ,  酸化鉄 ,  障壁
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗 ,  *トンネル磁気抵抗効果素子 ,  鉄電極

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (4件)： MgO ,  バリア ,  トンネル磁気抵抗素子 ,  作製